就是针对于某一特定问题，维松绘建立合适的数据库，维松绘将计算机和统计学等学科结合在一起，建立数学模型并不断的进行评估修正，最后获得能够准确预测的模型。
程中已经成功地将石墨烯晶畴转移到微管上（图4）。Email:[email protected]网页：制手https://publons.com/researcher/1226317/jinbo-pang/刘宏，制手济南大学前沿交叉科学研究院院长，山东大学晶体材料国家重点实验室教授，博士生导师，国家杰出青年科学基金获得者。
基于此，维松绘济南大学逄金波-刘宏教授团队/德国Cuniberti教授及合作者总结了晶圆级石墨烯的合成策略、器件结构和新的应用概念的最近进展(图1)。 图3.卷对卷工艺CVD连续生长米级石墨烯及连续转移法要点2：程中转移技术在研究石墨烯的基本性质和器件应用时，程中很多需要在绝缘衬底上，因此，金属衬底上生长的石墨烯，需要转移到其他任意衬底上，如SiO2/Si或蓝宝石。本文重点介绍了晶圆级石墨烯的合成策略、制手电子器件结构和新的器件应用概念的最近进展等。
因此，维松绘石墨烯的晶圆级生长，重新引起了人们对石墨烯合成和石墨烯基电子学的广泛关注和大量研究。主要研究方向：程中生物传感材料与器件、纳米能源材料、组织工程与干细胞分化、光电功能材料等。
1、制手背景介绍：石墨烯自2004年首次剥离以来就引起了相当大的研究兴趣。
维松绘在铜箔上进行了氧化处理来移除表面的油脂。申报国家专利67件，程中其中授权56件（第一发明人27件），科技成果转化2项，直接或间接经济利润近千万元，主编《化学电源技术》等学术著作3部。
主要从事能源化学与能源材料领域的基础应用研究，制手在新型化学电源体系、制手先进电极材料构建等方向开展了有意义的研究工作，尤其在金属空气电池、有机小分子燃料电池、混合型电容器等领域取得了卓有成效的成果。并通过KOH的选择性刻蚀，维松绘设计合适的空腔结构缓冲体积膨胀并存储多硫化锂和硫。
先后在ACSAPPLMATERINTER等国际知名学术期刊上发表论文80余篇，程中单篇最高引用122次，多篇文章入选ESI高被引论文。尽管如此，制手它的进一步应用仍然受到自身问题的限制，制手例如硫自身的导电性差，多硫化物的溶解和迁移造成严重的穿梭效应，放电过程中产生的难溶物质造成体积膨胀，锂枝晶等。
